论文简介
钙钛矿/硅叠层太阳能电池（TSC）具有超越单结太阳电池Shockley-Queisser极限的巨大潜力，可进一步提高太阳电池的功率转换效率（PCE）。然而，在透明电极沉积过程中，如何选择合适的溅射缓冲层来防止轰击是TSCs制备的一个难题。在此，我们通过电子束沉积引入氧化铟（In2O3）缓冲层来制造半透明钙钛矿太阳电池（ST-PSCs）。In2O3的透光率和电导率高度依赖于沉积速率。沉积速率高导致金属铟在薄膜中的比例高，导致严重的寄生吸收。在较低的溅射速率下沉积的20nm厚的In2O3薄膜具有较高的电导率、透光率和良好的溅射保护性能。含有该In2O3缓冲层的1.68 eV ST-PSC显示出20.20%的冠军PCE，显示出In2O3优异的光电和保护性能。当与Si电池组合时，4端TSC的PCE达到了30.04%。重要的是，未封装的ST-PSC在N2中连续光照浸泡423小时后，PCE保持在初始值的80%。这项工作为钙钛矿/硅TSC提供了一种方便和仪器透明的氧化铟缓冲层策略。
论文链接
https://doi.org/10.1016/j.jechem.2024.10.037
硅基太阳电池世界纪录
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42.60 |
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86.2 |
LONGi |
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HJT(n) |
26.8 |
274.4 |
41.45 |
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86.1 |
LONGi |
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HJT(p) |
26.6 |
274.1 |
41.3 |
0.7513 |
85.6 |
LONGi |
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TOPCon (n) |
25.6 |
330.3 |
41.39 |
0.7418 |
83.5 |
JASolar |
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TOPCon (n) |
25.8 |
4.008 |
42.87 |
0.7241 |
83.1 |
FhG-ISE |
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TOPCon (p) |
26 |
4.015 |
42.05 |
0.7323 |
84.3 |
FhG-ISE |
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PERC(p) |
24 |
244.59 |
41.58 |
0.694 |
83.3 |
LONGi |
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PERC(p) |
25 |
4 |
42.7 |
0.706 |
82.8 |
UNSW |
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PVK/Si |
25.8 |
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0.4/ |
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LONGi |
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